product eigenschappen
TYPE
BESCHRIJVEN
categorie
Discrete halfgeleiderproducten
Transistor - FET, MOSFET - enkelvoudig
fabrikant
Infineon-technologieën
serie
CoolGaN™
Pakket
Band en haspel (TR)
Afschuifband (CT)
Digi-Reel® aangepaste haspel
product status
Stopgezet
FET-type
N-kanaal
technologie
GaNFET (galliumnitride)
Afvoer-bronspanning (Vdss)
600V
Stroom bij 25°C – Continue afvoer (Id)
31A (TC)
Stuurspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
-
Aan-weerstand (max) bij verschillende Id, Vgs
-
Vgs(th) (maximum) bij verschillende Ids
1,6V @ 2,6mA
Vgs (max)
-10V
Ingangscapaciteit (Ciss) bij verschillende Vds (max)
380pF @ 400V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max)
125W (TC)
bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
soort installatie
Type opbouwmontage
Toestelverpakking van leverancier
PG-DSO-20-87
Pakket/bijlage
20-PowerSOIC (0,433″, 11,00 mm breed)
Basis productnummer
IGOT60
Media en downloads
BRON TYPE
KOPPELING
Specificaties
IGOT60R070D1
GaN-selectiegids
CoolGaN™ 600 V e-mode GaN HEMTs Kort
Andere gerelateerde documenten
GaN in Adapters/Opladers
GaN in server en telecom
Betrouwbaarheid en kwalificatie van CoolGaN
Waarom CoolGaN
GaN bij draadloos opladen
video bestand
CoolGaN™ 600V e-mode HEMT half-bridge evaluatieplatform met GaN EiceDRIVER™
CoolGaN™ – het nieuwe vermogensparadigma
2500 W full-bridge totempaal PFC-evaluatiebord met CoolGaN™ 600 V
HTML-specificaties
CoolGaN™ 600 V e-mode GaN HEMTs Kort
IGOT60R070D1
Milieu- en exportclassificatie
EIGENSCHAPPEN
BESCHRIJVEN
RoHS-status
Voldoet aan de ROHS3-specificatie
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
3 (168 uur)
REACH-status
Niet-REACH-producten
ECCN
OOR99
HTSUS
8541.29.0095
